“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究”科研成果荣获2021年度北京市科学技术一等奖
时间:2023-04-14      来源:中国科学院化学研究所


  根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报,中国科学院化学研究所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究(完成人:刘云圻、于贵、郭云龙等)”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。

  该项目突破了传统的聚合物半导体的分子设计理念,获得了创纪录的高迁移率p-型聚合物半导体材料,开发出高迁移率n-型聚合物半导体材料,制备了柔性高迁移率输运平衡的双极性有机场效应晶体管,并构建了低能耗和性能优异的柔性光热传感器和高光敏感度的光晶体管。(科技处)








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